Transistor#

Is a current amplifier.

Bipolar Transistor (BJT)#

PNP: E->B--C; NPN: C--B->E

Cut-Off Voltage#

The voltage, where ... \(V_{\mathrm{BE}} < 0.7V\)

Linear Region#

\[V_{\mathrm{BE}} \approx 0.7V\]

MOS-FET#

Drain current#

nMos p-dotiertes Substrat, n-dotierte Drain/Source, schlechter pull up

\[I_d = \begin{cases} 0, &\text{ für } U_{gs} - U_{th} \le 0 \text{(Sperrber.)}\\ \beta [(u_{gs} - U_{th}) \cdot u_{ds} - \frac{1}{2} u_{ds}^2], &\text{ für } 0 \le U_{gs} - U_{th} \ge u_{ds} \ \text{(linearer Ber.)}\\ \frac{1}{2} \beta \cdot (u_{gs} - U_{th})^2, &\text{ für } 0 \le U_{gs} - U_{th} \le u_{ds} \ \text{(Sättigungsber.)} \end{cases}\]

pMos n-dotiertes Substrat, p-dotierte Drain/Source, schlechter pull down

\[I_d = \begin{cases} 0, &\text{ für } U_{gs} - U_{th} \ge 0 \text{(Sperrber.)}\\ - \beta [(u_{gs} - U_{th}) \cdot u_{ds} - \frac{1}{2} u_{ds}^2] , &\text{ für } 0 \ge U_{gs} - U_{th} \le u_{ds} \ \text{(linearer Ber.)}\\ - \frac{1}{2} \beta \cdot (u_{gs} - U_{th})^2, &\text{ für } 0 \ge U_{gs} - U_{th} \ge u_{ds} \ \text{(Sättigungsber.)} \end{cases}\]